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行業(yè)動(dòng)態(tài)

S3030F新品發(fā)布3500V高壓精密源表

S3030F新品發(fā)布3500V高壓精密源表


導(dǎo)讀:

功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device)是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件,主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉(zhuǎn)換和管理等,電壓處理范圍從幾十伏到幾千伏,電流能力*高可達(dá)幾千安培。聯(lián)訊儀器3500V 高壓源表S3030F 設(shè)計(jì)用于高壓電子和功率半導(dǎo)體器件的特性測(cè)試以及其他一些需要高壓和高精度測(cè)量的元器件和材料的表征。

1特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)

S3030F能夠提供*大±3500V、±120mA(直流)、*大10 GΩ電阻測(cè)量范圍及*大180W 功率輸出, 廣泛地應(yīng)用在功率半導(dǎo)體特性,GaN、SiC表征,復(fù)合材料,高壓漏電流等測(cè)試和研究領(lǐng)域

1>高壓大功率

     ±3500V/±120mA(直流)/180W

2>高精度測(cè)量

    測(cè)量分辨率高達(dá)1fA/100uV

3>高速測(cè)量

  *高1M的ADC采樣率

4>支持超大電阻測(cè)量

   *大電阻測(cè)量范圍10GΩ

2高壓源表應(yīng)用舉例

1>SiC MOSFET 漏極截止電流測(cè)試 IDSS

IDSS: 當(dāng)在柵極和源極短路的情況下在漏極與源極之間施加指定電壓時(shí)產(chǎn)生的漏電流


SiC MOSFET IDSS測(cè)試:

短路柵極和源極,利用高壓源表在漏極和源極之間進(jìn)行電壓掃描,如上圖所示,源表設(shè)置掃描電壓從400V開始,按照200V的步進(jìn)掃描到1400V,電壓掃描的同時(shí)源表**測(cè)量IDSS

2> SiC MOSFET 漏源擊穿電壓測(cè)試 V(BR)DSS實(shí)物V (BR)DSS:漏-源擊穿電壓(破壞電壓),在柵極和源極短路的情況下, 流過漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓

SiC MOSFET V (BR)DSS
測(cè)試:在柵極和源極短路的情況下,利用高壓源表在漏極和源極之間進(jìn)行電流掃描,如上圖所示,利用List掃描功能,掃描電流源輸出20 uA,200 uA,1000 uA,5000 uA,10000 uA,掃描同時(shí)利用高壓源表測(cè)量VDS兩端電壓。

3聯(lián)訊儀器精密源表系列

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